Cree的Direct AttachTMSA1000TMLED是下一代固态LED发射器,将高效的InGaN材料与Cree的专有器件技术相结合,可为一般照明和汽车外部市场提供卓越的价值。SA1000 LED在低正向电压的情况下是市场上最亮的LED,从而提供了一种非常明亮且高效的解决方案。压焊焊盘向下的设计允许共晶管芯连接,无需引线键合,从而具有出色的性能,改善的热管理和高可靠性。该设计最适合于行业标准的顶视图包装

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Cree的的EZBright (R) LED是下一代与Cree的专有的光学设计和设备技术结合了高效的InGaN材料来提供用于高强度LED优越值固态LED发射器。光学设计最大限度地提高了光提取效率,并实现了朗伯辐射图。另外,这些LED可与导电环氧树脂,焊膏或焊剂预成型件以及共晶方法进行管芯连接。这些垂直结构的低正向电压LED芯片的高度约为170微米。Cree的EZ TM芯片已经过测试,符合光学和电气规范。这些LED在广泛的应用中很有用,例如普通照明,汽车照明和LCD背光。

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Cree的的EZBright (R) LED是最新一代与Cree的专有的光学设计和设备技术结合了高效的InGaN材料来提供用于高强度LED优越值固态LED发射器。光学设计最大限度地提高了光提取效率,并实现了朗伯辐射图。EZTMLED可通过助熔剂共晶方法以及导电环氧树脂,焊膏或焊剂预成型件进行连接。这些垂直结构的低正向电压LED芯片可提供标准高度或减小的高度。Cree的EZ芯片经过测试,符合光学和电气规范。这些LED在广泛的应用中有用,包括汽车照明,可穿戴设备,视频显示器和LCD背光。

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Cree的MB代II系列MegaBright的(R) LED的结合高效的InGaN材料与Cree的专有go碳化硅(R)为高强度LED提供卓越的性价比。这些LED芯片具有几何形状增强的垂直芯片结构,以最大程度地提高光提取效率,并且仅需要单线键合连接。分类的模具套件可方便地将模具板分类为波长和辐射通量仓。Cree的MB系列芯片经过测试,符合光学和电气规范,并具有承受1000V ESD的能力。这些LED在广泛的应用中很有用,例如室外全动态LED视频标牌,汽车照明和白色LED,但也可以在大容量应用中使用,例如LCD背光。Cree的MB系列芯片与大多数径向和SMT LED组装工艺兼容。

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Cree的RazerThin (R) LED是新一代与结合了高效的InGaN材料的固态LED发射器的Cree公司的专有go碳化硅(R)衬底提供用于高强度的蓝色和绿色LED优越的价格/性能。这些垂直结构的LED芯片的高度约为95微米,并且需要低的正向电压。Cree的RazerThin (R)系列芯片必须能够承受1000V的静电放电的能力。

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Cree的TRTMLED是最新一代的固态LED发射器,将高效的InGaN材料与Cree的专有器件技术和碳化硅衬底相结合,为LCD侧视图市场提供了卓越的价值。TR LED是侧视市场中最亮的器件,同时具有低正向电压,从而为0.4毫米,0.6毫米和0.8毫米侧视市场提供了非常明亮和高效的解决方案。该设计最适合工业标准侧面包装,因为它可以与透明环氧树脂模压连接,并具有两个顶部触点,与工业标准包装一致。

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