产品中心-LED芯片
Cree的Direct AttachTMSA1000TMLED是下一代固态LED发射器，将高效的InGaN材料与Cree的专有器件技术相结合，可为一般照明和汽车外部市场提供卓越的价值。SA1000 LED在低正向电压的情况下是市场上最亮的LED，从而提供了一种非常明亮且高效的解决方案。压焊焊盘向下的设计允许共晶管芯连接，无需引线键合，从而具有出色的性能，改善的热管理和高可靠性。该设计最适合于行业标准的顶视图包装
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Cree的的EZBright (R) LED是下一代与Cree的专有的光学设计和设备技术结合了高效的InGaN材料来提供用于高强度LED优越值固态LED发射器。光学设计最大限度地提高了光提取效率，并实现了朗伯辐射图。另外，这些LED可与导电环氧树脂，焊膏或焊剂预成型件以及共晶方法进行管芯连接。这些垂直结构的低正向电压LED芯片的高度约为170微米。Cree的EZ TM芯片已经过测试，符合光学和电气规范。这些LED在广泛的应用中很有用，例如普通照明，汽车照明和LCD背光。
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Cree的的EZBright (R) LED是最新一代与Cree的专有的光学设计和设备技术结合了高效的InGaN材料来提供用于高强度LED优越值固态LED发射器。光学设计最大限度地提高了光提取效率，并实现了朗伯辐射图。EZTMLED可通过助熔剂共晶方法以及导电环氧树脂，焊膏或焊剂预成型件进行连接。这些垂直结构的低正向电压LED芯片可提供标准高度或减小的高度。Cree的EZ芯片经过测试，符合光学和电气规范。这些LED在广泛的应用中有用，包括汽车照明，可穿戴设备，视频显示器和LCD背光。
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Cree的低电流苏佩布拉TM代II LED的Cree的结合高效的GaN专有go碳化硅(R) 衬底提供用于蓝色LED的最终价格/性能。C430CB230-S2100专为汽车应用或对波长稳定性和芯片坚固性至关重要的任何应用而设计。
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Cree的MB代II系列MegaBright的(R) LED的结合高效的InGaN材料与Cree的专有go碳化硅(R)为高强度LED提供卓越的性价比。这些LED芯片具有几何形状增强的垂直芯片结构，以最大程度地提高光提取效率，并且仅需要单线键合连接。分类的模具套件可方便地将模具板分类为波长和辐射通量仓。Cree的MB系列芯片经过测试，符合光学和电气规范，并具有承受1000V ESD的能力。这些LED在广泛的应用中很有用，例如室外全动态LED视频标牌，汽车照明和白色LED，但也可以在大容量应用中使用，例如LCD背光。Cree的MB系列芯片与大多数径向和SMT LED组装工艺兼容。
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Cree的RazerThin (R) LED是新一代与结合了高效的InGaN材料的固态LED发射器的Cree公司的专有go碳化硅(R)衬底提供用于高强度的蓝色和绿色LED优越的价格/性能。这些垂直结构的LED芯片的高度约为95微米，并且需要低的正向电压。Cree的RazerThin (R)系列芯片必须能够承受1000V的静电放电的能力。
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Cree的TRTMLED是最新一代的固态LED发射器，将高效的InGaN材料与Cree的专有器件技术和碳化硅衬底相结合，为LCD侧视图市场提供了卓越的价值。TR LED是侧视市场中最亮的器件，同时具有低正向电压，从而为0.4毫米，0.6毫米和0.8毫米侧视市场提供了非常明亮和高效的解决方案。该设计最适合工业标准侧面包装，因为它可以与透明环氧树脂模压连接，并具有两个顶部触点，与工业标准包装一致。
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Cree的超瘦TM的LED结合高效的InGaN材料与Cree的专有go碳化硅(R)衬底提供用于蓝色LED优越的价格/性能。这些垂直结构的LED芯片尺寸小，并且需要低的正向电压。Cree的UTTM系列芯片已经过测试，符合光学和电气规范以及承受1000 V ESD的能力。应用包括需要小型化和更薄外形的键盘背光。
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