产品中心-半导体元器件


主要产品特性：低正向电压降、卓越的高温稳定性、快速切换能力、符合欧盟RoHS的无铅。

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主要产品特性：高速数据线的ESD保护国际电工委员会61000-4-2静电放电接触放电，典型8kV，最大15kVESD空气放电，典型15kV，最大25kV表面贴装、极低电容、极低泄漏电流、快速响应时间、双向ESD保护。。

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主要产品特性：正向电压降低、卓越的高温稳定性、快速切换能力、后缀“G”表示无卤素部件，例如CSP545SG-A。无铅零件符合环境标准MIL-STD-19500/228。

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主要产品特性：低剖面表面安装应用，以便优化董事会空间。低功耗，高效率。高电流能力，低正向压降。超高速开关。硅外延平面芯片，金属硅结。无铅零件符合环境标准MIL-STD-19500/228

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主要产品特性：切换速度快。轴向引线式通孔设计装置。密封玻璃。硅外延平面芯片结构。无铅零件符合RoHS要求。

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主要产品特性：正向电压降低、卓越的高温稳定性、快速切换能力、符合欧盟RoHS的无铅。

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主要产品特性：低导通和开关损耗、Vf上的正温度系数、与温度无关的开关行为、快速反向恢复、高浪涌电流能力、无铅铅电镀。

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主要产品特性：P-on-N单向齐纳管（6mil/9mil）（BVR=7V~10V、BVR=11V~15V、BVR=23V~40V、BVR=45V~65V）N开P单向齐纳管（6mil/9mil）（BVR=7V~10V）NPN双向齐纳管（6mil/9mil）BVR（正向）=5V~7V。

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我们的专利

产品应用广泛:Phone、Adaptor、PC Power、DVDPlayer Power Supply 、LED Lighting、LED TV。

Patent Location Patent NO
蕭特基二極體結構及其製造方法 R.O.C I226709
具有高崩潰電壓及低逆向漏電流的蕭特基二極體 R.O.C I234289
蕭特基二極體及其製造方法 R.O.C I237901
蕭特基阻障二極體及其製造方法 R.O.C I263344
功率蕭特基整流裝置及其製造方法 CN 362744
具有高崩潰電壓及低逆向漏電流的蕭特基二極體 CN 312861
蕭特基二極體結構及其製造方法 CN 449005
Two mask Schottky diode with locos structure USA 6,936,905
High switching speed two mask Schottky diode with high field breakdown USA 6,998,694
Schottky diode with high field breakdown and low reverse leakage current USA 6,825,073
Schottky barrier diode and method of making the same-Trench USA 7,064,408
Schottky barrier diode and method of making the same USA 7,078,780
Silicon carbide Schottky diode and method of making the same USA 7.368.371
High switching speed two mask Schottky diode with high field breakdown USA 7.491.633
Method of forming low forward voltage Schottky barrier diode with LOCOS structure therein USA 11/453,799

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